[发明专利]采用包含氟代烃的聚合物的高保真构图有效
申请号: | 201280052536.7 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN103946954A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | M·布林克;S·U·恩格尔曼;N·C·M·富勒;M·A·古罗恩;宫副裕之;中村昌洋 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司;日本瑞翁株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;于静 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在衬底上形成硬掩膜层、软掩膜层和光致抗蚀剂的叠层。对所述光致抗蚀剂进行构图以包括至少一个开口。通过各向异性蚀刻将所述图形转移到所述软掩膜层中,该各向异性蚀刻形成包含比氟多的碳的富碳聚合物。可以通过采用利用包含比氟多的氢的氟代烃分子产生的包含氟代烃的等离子体,形成所述富碳聚合物。所述富碳聚合物涂覆所述软掩膜层的侧壁,并且防止转移到所述软掩膜中的图形被加宽。随后去除所述光致抗蚀剂,并且将所述软掩膜层中的图形转移到所述硬掩膜层中。所述硬掩膜层的侧壁被所述富碳聚合物涂覆,以防止转移到所述硬掩膜中的图形被加宽。 | ||
搜索关键词: | 采用 包含 氟代烃 聚合物 高保真 构图 | ||
【主权项】:
一种形成构图的结构的方法,包括:形成叠层,所述叠层自下而上包括衬底、非碳基的硬掩膜层、包含碳基材料的软掩膜层、以及光致抗蚀剂;对所述光致抗蚀剂进行光刻构图;以及采用各向异性蚀刻将所述光致抗蚀剂中的图形转移到所述软掩膜层中,其中在所述软掩膜层的开口周围的侧壁上形成包含碳和氟的富碳聚合物,其中在所述富碳聚合物中碳与氟的原子比大于1。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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