[发明专利]高选择性氮化物蚀刻工艺

摘要

各向异性氮化硅蚀刻通过在硅表面和氧化硅表面上形成包含氟代烃的聚合物而提供相对于硅和氧化硅的选择性。采用选择性的氟代烃沉积来提供相对于非氮化物表面的选择性。包含氟代烃的聚合物与氮化硅相互作用以形成挥发性化合物，由此使得能够蚀刻氮化硅。包含氟代烃的聚合物以低反应速率与氧化硅相互作用，延迟或者完全停止对氧化硅的蚀刻。包含氟代烃的聚合物不与硅相互作用，并且保护硅不受等离子体蚀刻。在包括小于50nm的小尺寸的任何尺寸下，都可以采用该各向异性氮化硅蚀刻来相对于硅和氧化硅选择性地蚀刻氮化硅。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包括：在半导体衬底上形成硅部分、氧化硅部分和氮化硅部分；以及采用包含氟代烃的等离子体各向异性蚀刻所述氮化硅部分，其中具有第一厚度的第一包含氟代烃的聚合物形成在所述硅部分上，具有第二厚度的第二包含氟代烃的聚合物形成在所述氧化硅部分上，并且具有第三厚度的第三包含氟代烃的聚合物形成在所述氮化硅部分上，其中所述第一厚度大于所述第二厚度，并且大于所述第三厚度。