[发明专利]钛酸钡系半导体陶瓷及使用其的PTC热敏电阻无效
| 申请号： | 201280053002.6 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103906722A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 青户涉;胜勇人;并河康训 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;H01C7/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种室温附近的比电阻低且耐电压高的、具有正电阻温度特性的钛酸钡系陶瓷及使用其的PTC热敏电阻。该钛酸钡系陶瓷是以通式BaTiO3表示且具有正电阻温度特性的钛酸钡系半导体陶瓷，其中，将部分Ti位以Zr置换，且将Zr的含有比率设为0.14～0.88mol％的范围。所述钛酸钡系半导体陶瓷设为含有选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一种稀土元素的组成。使用上述钛酸钡系半导体陶瓷作为具有正电阻温度特性的热敏电阻基体而构成PTC热敏电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 钛酸钡 半导体 陶瓷 使用 ptc 热敏电阻 | ||
【主权项】：
一种钛酸钡系半导体陶瓷，其特征在于，是以通式BaTiO3表示且具有正电阻温度特性的钛酸钡系半导体陶瓷，部分Ti位被Zr置换，且Zr的含有比率处于0.14～0.88mol％的范围。
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