[发明专利]通过离子注入制成的晶体传感器有效
| 申请号： | 201280053219.7 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN104011565B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 刘仪;O·蒙蒂罗;K·L·桑德林;S·丘陶克 | 申请（专利权）人： | 贝克休斯公司 |
| 主分类号： | G01V3/18 | 分类号： | G01V3/18;G01V3/32;H02N2/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种用于生产晶体传感器的方法。该方法包括选择被配置用于感测感兴趣的性质的晶体。该方法还包括使用离子注入将离子注入晶体内以在晶体内产生导电区，其中该导电区能够提供用于感测感兴趣的性质的信号。本发明还公开了一种用于使用穿过地表的钻井内的晶体传感器来估计感兴趣的性质的方法和装置。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 离子 注入 制成 晶体 传感器 | ||
【主权项】：
一种用于生成用于感测感兴趣的井下流体的性质的晶体传感器的方法，所述方法包括：选择被配置用于感测感兴趣的性质的压电挠性谐振器，所述压电挠性谐振器包括被配置用于与所述井下流体通信的压电晶体；将所述压电挠性谐振器与被配置为通过穿过地表的钻井来输送的载体耦合；以及使用离子注入将离子注入所述压电晶体内以在所述晶体内产生导电区，所述导电区能够提供用于感测所述感兴趣的性质的信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贝克休斯公司，未经贝克休斯公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280053219.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带有隐形包字形连接装置的门窗
- 下一篇：电动折叠平开门的无锁关门锁定机构
