[发明专利]包括电磁吸收和屏蔽的半导体装置有效
| 申请号： | 201280053715.2 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN104067389B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 黄大成;白晔;钱开友;邱进添 | 申请（专利权）人： | 晟碟半导体（上海）有限公司;晟碟信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H05K9/00;H05K1/02;H05K3/46;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置，该半导体装置包括用于吸收EMI和/或RFI的材料。该装置包括：衬底(202)；一个或更多个半导体裸芯(224、225)；以及围绕所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)的模塑料。用于吸收EMI和/或RFI的所述材料可设置在所述衬底(202)上的阻焊膜层(210)内或上。该装置还包括围绕所述模塑料并且与衬底上的EMI/RFI吸收材料相接触的EMI/RFI吸收材料，以将所述一个或更多个半导体裸芯(224、225)完全包覆在EMI/RFI吸收材料中。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 电磁 吸收 屏蔽 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底，该衬底包括：电介质核，所述电介质核上的导电层，以及所述导电层上的阻焊膜层，所述衬底包括第一吸收材料，所述第一吸收材料用于吸收电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)中的至少之一；固定至所述衬底的一个或更多个半导体裸芯；包封剂，所述包封剂覆盖至少该一个或多个半导体裸芯；以及第一连续层和第二连续层，所述第一连续层和所述第二连续层提供在所述包封剂上，所述第一连续层和所述第二连续层彼此直接相邻，所述第一连续层包含第二吸收材料，所述第二吸收材料用于吸收电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)中的至少之一，并且所述第二连续层包含导电材料，所述导电材料用于为所述半导体装置屏蔽电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI)中的至少之一，其中所述第一吸收材料被设置为所述阻焊膜的一部分。
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