[发明专利]阻气膜和阻气膜的制造方法有效
申请号: | 201280053719.0 | 申请日: | 2012-10-12 |
公开(公告)号: | CN104023971A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 永绳智史;铃木悠太 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00;C23C14/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供具有优异的阻气性的阻气膜及这种阻气膜的制造方法。即,在基材上形成阻气层而成的阻气膜及这种阻气膜的制造方法,阻气层至少含有氧原子、硅原子、氮原子,将阻气层的与基材相接的面作为基材侧、将其相反面作为表面侧时,从表面侧朝向基材侧包含利用XPS测定而测得的氮量、硅量以及氧量成为以下关系的区域:按氧量>硅量>氮量的顺序形成的第1区域、按硅量>氧量>氮量的顺序形成的第2区域、按氧量>硅量>氮量的顺序形成的第3区域。 | ||
搜索关键词: | 阻气膜 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阻气膜,其特征在于,是在基材上形成阻气层而成的阻气膜,所述阻气层至少含有氧原子、硅原子、氮原子,将阻气层的与基材相接的面作为基材侧、将其相反面作为表面侧时,从所述表面侧朝向所述基材侧包含利用XPS测定而测得的阻气层中的氮量、硅量以及氧量成为以下关系的区域,成为氧量>硅量>氮量的关系的第1区域,成为硅量>氧量>氮量的关系的第2区域,和成为氧量>硅量>氮量的关系的第3区域。
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