[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201280053813.6 申请日: 2012-10-16
公开(公告)号: CN104025287B 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 安永尚司;山上守 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L23/28 分类号: H01L23/28
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种半导体装置,其能够更高效地散发来自半导体芯片的热量。该半导体装置包括具有芯片焊垫主面(111)和芯片焊垫背面(112)的芯片焊垫部(11);搭载于芯片焊垫主面(111)的半导体芯片(41);形成有使芯片焊垫背面(112)露出的凹部(75)且覆盖芯片焊垫部(11)和半导体芯片(41)的密封树脂部(7);以及配置于凹部(75)的散热层(6),凹部(75)具有凹部槽(753),该凹部槽(753)具有在芯片焊垫背面(112)扩展的方向上位于比芯片焊垫部(11)更靠外侧,且位于比芯片焊垫背面(112)更靠芯片焊垫主面(111)侧的部分,散热层(6)具有一部充填于凹部槽(753)且与芯片焊垫背面(112)接触接合层(66)。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:具有相互朝向相反方向的主面和背面的芯片焊垫部;搭载于所述芯片焊垫部的所述主面的半导体芯片;形成有使所述芯片焊垫部的所述背面露出的凹部、并且覆盖所述芯片焊垫部和所述半导体芯片的密封树脂部;和配置于所述凹部的散热层,所述凹部包括槽,所述槽在所述背面扩展的方向上与所述芯片焊垫部离开且位于比所述芯片焊垫部更靠外侧的位置、并且位于比所述背面更靠所述主面侧的位置,所述散热层包括接合层和金属层,该接合层的一部分被充填于所述槽中、并且与所述芯片焊垫部的所述背面接触,所述金属层相对于所述接合层层叠于与所述芯片焊垫部相反一侧,所述槽在所述背面扩展的方向上配置于所述金属层的外侧,所述接合层中的被充填于所述槽中的部分的导热率和所述接合层的与所述芯片焊垫部的所述背面接触的部分的导热率相同。
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