[发明专利]用于生产LFC-PERC硅太阳能电池的方法无效
申请号: | 201280054039.0 | 申请日: | 2012-09-06 |
公开(公告)号: | CN103918089A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | G·M·富吉;村上守;A·G·普林斯;P·J·威尔莫特 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于生产具有铝背面电极的LFC-PERC硅太阳能电池的方法,其中使用了铝浆,所述铝浆不具有或仅具有较差的烧透能力,并且包括粒状铝、玻璃料、有机载体和基于总铝浆组合物计0.01至<0.05重量%的至少一种锑氧化物,并且其中所述至少一种锑氧化物作为一种或多种独立粒状组分和/或作为一种或多种玻璃料组分存在于铝浆中。 | ||
搜索关键词: | 用于 生产 lfc perc 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种用于生产LFC‑PERC硅太阳能电池的方法,所述方法包括以下步骤:(1)提供硅圆片,所述硅圆片在其正面上具有ARC层并且在其背面上具有非穿孔的介电钝化层,(2)在所述硅圆片的背面上的非穿孔的介电钝化层上施加并干燥铝浆,(3)焙烧所述干燥的铝浆,从而使所述晶片达到700至900℃的峰值温度,以及(4)激光焙烧在步骤(3)中获得的所述焙烧的铝层和所述焙烧的铝层下面的介电钝化层以在所述钝化层中产生穿孔并形成局部BSF触点,其中所述铝浆不具有或仅具有较差的烧透能力并且包括粒状铝、玻璃料、有机载体和基于总铝浆组合物计0.01至<0.05重量%的至少一种锑氧化物,其中所述至少一种锑氧化物作为一种或多种独立粒状组分和/或作为一种或多种玻璃料组分存在于所述铝浆中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的