[发明专利]使用铝烷基的前驱物的金属薄膜沉积有效
| 申请号： | 201280054152.9 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103946957B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 欣亮·卢;戴维·汤普森;杰弗里·W·安西斯;梅·张;赛沙德利·甘古利;唐伟;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;阿蒂夫·努里 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/22 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供沉积纯金属和铝合金金属薄膜的方法。某些方法包括使基板表面与第一前驱物和第二前驱物接触，该第一前驱物包含铝前驱物，该铝前驱物选自二甲基铝氢化物、配位于胺的铝烷和具有由式(I)或(II)表示的结构的化合物，其中R为C1‑C6烷基，而该第二前驱物包含金属卤化物。其他的方法涉及使基板按顺序地曝露于第一前驱物和第二前驱物，该第一前驱物包含如上所述的铝前驱物，而该第二前驱物包含Ti(NR'2)4或Ta(NR'2)5，其中R'为烷基、烯基、炔基、酮基或醛基。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 烷基 前驱 金属 薄膜 沉积 | ||
【主权项】：
一种沉积薄膜的方法，所述方法包括使基板表面与第一前驱物和第二前驱物接触，所述第一前驱物包含铝前驱物，所述铝前驱物选自二甲基铝氢化物、配位于胺的铝烷和具有由下式表示的结构的化合物：其中R为C1‑C6烷基，而所述第二前驱物包含金属卤化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280054152.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种柴油发动机气缸套
- 下一篇：节流阀及发动机的怠速控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
