[发明专利]绝缘体上半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201280054537.5 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103946969A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·约翰·布劳利 | 申请（专利权）人： | 斯兰纳私人集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;张英 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 一种绝缘体上半导体结构，包括半导体薄膜，该半导体薄膜具有形成在其中的电子器件，该半导体薄膜设置在电绝缘薄膜的第一面上；其中，为了减小寄生电容，不存在附着于电绝缘薄膜的与第一面相对的第二面的块体基板，并且为了对来自器件的热流提供路径，电绝缘薄膜的热导率基本上大于1.4W·m-1·K-1。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 上半 导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上半导体结构，包括半导体薄膜，所述半导体薄膜具有形成在其中的电子器件，所述半导体薄膜设置在电绝缘薄膜的第一面上；其中，为了降低寄生电容，不存在附着于所述电绝缘薄膜的与所述第一面相对的第二面的块体基板，并且为了对来自所述器件的热流提供路径，所述电绝缘薄膜的热导率为基本上大于1.4W·m‑1·K‑1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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