[发明专利]用于穿过低K布线层来图案化穿板通孔的低K介电保护分隔物有效
| 申请号： | 201280054946.5 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103918068B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | V·拉马钱德兰;S·顾 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于穿过低K值布线层(130)来图案化穿板通孔(TSV)的低K值介电保护分隔物。一种用于形成低K值介电保护分隔物(820)的方法包括穿过低K值介电互连层(130)来蚀刻通孔开口。保护层被沉积在该通孔开口中以及该低K值介电互连层上。从该通孔开口的底部并从该低K值介电互连层的水平表面蚀刻该保护层的至少一部分。该蚀刻在该通孔开口的侧壁上留下保护性侧壁分隔物(820)。穿过通孔开口的底部并穿过半导体基板来蚀刻穿板通孔。该穿板通孔用导电材料(890)来填充。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 穿过 布线 图案 化穿板通孔 保护 分隔 | ||
【主权项】：
一种用于形成低K值介电保护分隔物的方法，包括：穿过低K值介电互连层来蚀刻通孔开口；将保护层沉积在所述通孔开口中以及所述低K值介电互连层上；从所述通孔开口的底部蚀刻所述保护层的一部分以暴露半导体基板的表面上的层间介电(ILD)层，以及蚀刻位于所述低K值介电互连层的侧壁表面上的所述保护层的一部分，所述蚀刻在所述通孔开口的侧壁上留下保护性侧壁分隔物；穿过所述通孔开口的底部并穿过半导体基板来蚀刻穿板通孔；以及填充所述穿板通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
