[发明专利]间层多晶硅电介质帽和形成该间层多晶硅电介质帽的方法

摘要

在某些实施例中，间层多晶硅电介质帽设置在基板的顶上，所述基板具有第一浮置栅极、第二浮置栅极和设置在第一浮置栅极与第二浮置栅极之间的绝缘层，所述间层多晶硅电介质帽可包括第一含氮层，设置在第一浮置栅极和第二浮置栅极的上部和侧壁的顶上；第一含氧层，设置在绝缘层的上表面和第一含氮层的顶上；第二含氮层，设置在第一含氧层的上部和侧壁的顶上；和第二含氧层，设置在第一含氧层的上表面和第二含氮层的顶上。

主权项

一种设置在基板的顶上的间层多晶硅电介质帽，所述基板具有第一浮置栅极、第二浮置栅极、和布置在所述第一浮置栅极与所述第二浮置栅极之间的绝缘层，所述间层多晶硅电介质帽包括：第一含氮层，所述第一含氮层设置在所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极的上部和侧壁的顶上；第一含氧层，所述第一含氧层设置在所述绝缘层的上表面和所述第一含氮层的顶上；第二含氮层，所述第二含氮层设置在所述第一含氧层的上部和侧壁的顶上；和第二含氧层，所述第二含氧层设置在所述第一含氧层的上表面和所述第二含氮层的顶上并且与所述第一含氧层的上表面和所述第二含氮层相接触。