[发明专利]一种测试具有浮动栅极的非易失性存储器单元的数据保持的方法有效
申请号: | 201280055415.8 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN103988281A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | V·马科夫;J·尤;S·班萨尔;A·科托夫 | 申请(专利权)人: | 硅存储技术公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马丽娜;胡莉莉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种减少确定具有浮动栅极的存储器单元的数据保持的测试时间的方法,该浮动栅极用于在其上存储电荷以确定该存储器单元是否具有来自浮动栅极的漏电流。该存储器单元的特征在于具有依赖于浮动栅极的电压的绝对值的漏电速率的漏电流。该存储器单元的特征还在于在正常操作期间施加的第一擦除电压与第一编程电压,以及在正常操作期间检测到的第一读取电流。本方法施加大于第一擦除电压的电压来过度擦除该浮动栅极。包括浮动栅极的存储器单元经受单一高温烘烤。该存储器单元然后基于该单一高温烘烤来针对浮动栅极的数据保持进行测试。 | ||
搜索关键词: | 一种 测试 具有 浮动 栅极 非易失性存储器 单元 数据 保持 方法 | ||
【主权项】:
一种测试非易失性存储器单元的方法,该存储器单元具有用于在其上存储电荷的浮动栅极,其中所述方法用于如果存储器单元具有依赖于该浮动栅极的电压的绝对值的来自该浮动栅极的漏电流就测试该存储器单元,其中所述单元的特征在于在正常操作期间施加的第一擦除电压、第一编程电压与第一读取电压,以及在正常操作期间检测到的擦除的存储器单元的第一读取电流,其中所述方法包括:施加大于该第一擦除电压的电压来过度擦除该浮动栅极;使包括该浮动栅极的该存储器单元经受单一高温烘烤;以及通过施加低于该第一读取电压的读取电压来测试该浮动栅极的数据保持。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅存储技术公司,未经硅存储技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280055415.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造