[发明专利]芯片电容器及其制造方法在审
| 申请号： | 201280055496.1 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103930961A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 冈田博行;不破保博 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/255 | 分类号： | H01G4/255;H01G4/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明旨在提供能以公共的设计来容易且迅速地与多种电容值对应的芯片电容器及其制造方法。芯片电容器(1)包含：基板(2)、配置于基板(2)上的第1外部电极(3)、第2外部电极(4)、电容器元件(C1～C19)以及熔断器(F1～F9)。电容器元件(C1～C19)包含：第1电极膜(11)、第1电极膜(11)上的第1电容膜(12)、在第1电容膜(12)上与第1电极膜(11)对置的第2电极膜(13)、第2电极膜(13)上的第2电容膜(17)、在第2电容膜(17)上与第2电极膜(13)对置的第3电极膜(16)，电容器元件连接于第1外部电极(3)及第2外部电极(4)之间。熔断器(F1～F9)分别插在电容器元件(C1～C19)与第1外部电极(3)或第2外部电极(4)之间，能将多个电容器元件(C1～C19)分别隔出。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片电容器，包含：基板；第1外部电极，其配置于所述基板上；第2外部电极，其配置于所述基板上；多个电容器元件，其包含形成于所述基板上的第1电极膜、形成于所述第1电极膜上的第1电容膜、按照与所述第1电极膜对置的方式形成于所述第1电容膜上的第2电极膜、形成于所述第2电极膜上的第2电容膜、以及按照与所述第2电极膜对置的方式形成于所述第2电容膜上的第3电极膜，且所述多个电容器元件连接于所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间；以及多个熔断器，其形成于所述基板上，分别插在所述多个电容器元件与所述第1外部电极或所述第2外部电极之间，且能将所述多个电容器元件分别隔出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280055496.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于高斯混合模型的图像增强算法
- 下一篇：老旧住宅加固结构及其加固方法
