[发明专利]疏水窗玻璃

摘要

本发明涉及用于制备疏水窗玻璃的方法，其包括下列连续步骤：(a)通过在由无机玻璃制成的基材的至少一部分表面上的化学气相沉积(CVD)，在600℃至680℃的温度下，通过使所述表面与包含乙烯(C₂H₄)、硅烷(SiH₄)和二氧化碳(CO₂)的反应性气体流接触，在所述基材的表面上形成富含碳的氧碳化硅(SiO_xC_y)层，其中在步骤(a)期间的乙烯/硅烷(C₂H₄/SiH₄)体积比小于或等于3.3，(b)于在步骤(a)中沉积的氧碳化硅层上形成SiO₂层，或(b’)形成贫含碳的氧碳化硅层，该层具有低于0.2的平均C/Si比率，(c)在580℃至700℃的温度下使在步骤(b)或(b’)结束时获得的基材退火和/或成型，(d)通过等离子体处理或酸或碱的化学处理使在步骤(b)中形成的二氧化硅层或在步骤(b’)中形成的氧碳化硅层活化，和(e)通过共价键合接枝氟化疏水试剂。本发明还涉及通过这种方法可获得的疏水窗玻璃，优选是风挡。

主权项

用于制备疏水窗玻璃的方法，其包括下列连续步骤：(a)通过在由无机玻璃制成的基材的至少一部分表面上的化学气相沉积(CVD)，在600℃至680℃，优选610℃至660℃的温度下，通过使所述表面与包含乙烯(C₂H₄)、硅烷(SiH₄)和二氧化碳(CO₂)的反应性气体流接触，在所述基材的表面上形成富含碳的氧碳化硅(SiO_xC_y)层，其中在步骤(a)期间的乙烯/硅烷(C₂H₄/SiH₄)体积比小于或等于3.3，(b)在步骤(a)中沉积的氧碳化硅层上形成SiO₂层，或(b')在步骤(a)中沉积的SiO_xC_y层上形成贫含碳的氧碳化硅层，该层具有低于0.2，优选低于0.1的平均C/Si比率，(c)在580℃至700℃，优选在600℃至680℃的温度下使在步骤(b)或(b')结束时获得的基材退火和/或成型，(d)通过等离子体处理或通过酸或碱的化学处理使二氧化硅层或氧碳化硅层活化，和(e)通过共价键合将氟化疏水试剂接枝到该二氧化硅或SiO_xC_y层的表面上。