[发明专利]固体摄像装置

摘要

固体摄像装置具备被配置为矩阵状的多个像素(11)；半导体衬底(101)；第一电极(113)，按每个像素(11)被形成在半导体衬底(101)的上方；光电转换膜(114)，被形成在第一电极(113)上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；电荷积蓄区域(104)，被形成在半导体衬底(101)，积蓄由光电转换膜(114)进行光电转换而生成的信号电荷；接触插塞(107)，将对应的像素(11)的第一电极(113)与电荷积蓄区域(104)电连接；N型杂质区域(117)，被形成在电荷积蓄区域(104)的表面中的、与接触插塞(107)接触的区域；P型杂质区域(151)，被形成在不与接触插塞(107)接触的区域；以及低浓度N型杂质区域(150)，被形成在N型杂质区域(117)与P型杂质区域(151)之间。

主权项

一种固体摄像装置，具备被配置成矩阵状的多个像素，所述固体摄像装置具备：半导体衬底；第一电极，按每个所述像素被形成在所述半导体衬底的上方，且与相邻的所述像素电分离；光电转换膜，被形成在所述第一电极上，且对光进行光电转换，从而得到信号电荷；第二电极，被形成在所述光电转换膜上；电荷积蓄区域，按每个所述像素被形成在所述半导体衬底，且与对应的像素的所述第一电极电连接，积蓄由所述光电转换膜进行光电转换而生成的所述信号电荷；复位栅极电极，按每个所述像素被形成，且对所述半导体衬底的通道的形成进行控制，利用通过所述通道的电荷，将对应的像素的所述电荷积蓄区域的电位复位；放大晶体管，按每个所述像素被形成，且对被积蓄在对应的像素的所述电荷积蓄区域中的所述信号电荷进行放大；接触插塞，按每个所述像素被形成，且与对应的像素的所述电荷积蓄区域接触，并且用于使对应的像素的所述第一电极与所述电荷积蓄区域电连接；高浓度杂质区域，被形成在所述电荷积蓄区域的表面中的、与所述接触插塞接触的区域，且所述高浓度杂质区域的导电型与所述电荷积蓄区域的导电型相同；表面杂质区域，被形成在所述电荷积蓄区域的表面中的、不与所述接触插塞接触的区域，且所述表面杂质区域的导电型与所述电荷积蓄区域的导电型相反；以及低浓度杂质区域，被形成在所述电荷积蓄区域的表面中的、所述高浓度杂质区域与所述表面杂质区域之间，且所述低浓度杂质区域的导电型与所述电荷积蓄区域的导电型相同或相反；所述接触插塞含有硅或锗。