[发明专利]等离子体处理系统中的惰性主导脉冲

摘要

提供一种用于对处理腔室中的衬底进行处理的方法，处理腔室具有至少一个等离子体产生源、和用于向腔室提供处理气体的气体源。该方法包含用具有射频频率的射频信号激发等离子体产生源。该方法还包含使用至少第一气体脉冲频率给气体源施加脉冲，使得在气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至腔室，在气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至腔室，气体脉冲周期与第一气体脉冲频率关联。相对于第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低。第二处理气体通过从第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。

主权项

一种用于处理等离子体处理系统的等离子体处理腔室中的衬底的方法，所述等离子体处理腔室具有至少一个等离子体产生源和向所述等离子体处理腔室的内部区域提供处理气体的至少气体源，所述方法包括：用具有射频频率的射频信号来激发所述等离子体产生源；以及使用至少第一气体脉冲频率来给所述气体源施加脉冲，使得在与所述第一气体脉冲频率关联的气体脉冲周期的第一部分期间，第一处理气体流至所述等离子体处理腔室，并且在与所述第一气体脉冲频率关联的所述气体脉冲周期的第二部分期间，第二处理气体流至所述等离子体处理腔室，相对于所述第一处理气体的反应气体比惰性气体的比率，所述第二处理气体的反应气体比惰性气体的比率较低，其中，所述第二处理气体通过从所述第一处理气体去除至少一部分反应气体流而形成。