[发明专利]制造GaN混合P-I-N肖特基(MPS)二极管的方法无效
| 申请号： | 201280056163.0 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103930974A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·P·爱德华兹;聂辉;伊舍克·C·克孜勒亚尔勒;林达·罗马诺;大卫·P·布尔;理查德·J·布朗;托马斯·R·普朗蒂 | 申请（专利权）人： | 阿沃吉有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构包括具有第一侧和与第一侧相反的第二侧的III族-氮化物衬底。III族-氮化物衬底的特征在于第一导电类型和第一掺杂剂浓度。半导体结构还包括III族-氮化物外延结构，该III族-氮化物外延结构包括耦合到III族-氮化物衬底的第一侧的第一III族-氮化物外延层和多个第二导电类型的III族-氮化物区。多个III族-氮化物区在多个III族-氮化物区中的每个之间具有至少一个第一导电类型的III族-氮化物外延区。半导体结构还包括电耦合到多个III族-氮化物区中的一个或更多个和至少一个III族-氮化物外延区的第一金属结构。在第一金属结构与所述至少一个III族-氮化物外延区之间产生肖特基接触。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 gan 混合 肖特基 mps 二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在氮化镓(GaN)基材料中制造混合P‑i‑N肖特基(MPS)二极管的方法，所述方法包括：提供具有第一表面和第二表面的n型GaN基衬底；形成耦合到所述n型GaN基衬底的所述第一表面的n型GaN基外延层；形成具有多个p型GaN基区的GaN结构，在所述多个p型GaN基区中的各个p型GaN基区之间设置有至少一个n型GaN基外延区；以及形成电耦合到所述多个p型GaN基区中的一个或更多个和所述至少一个n型GaN基外延区的第一金属结构，其中在所述第一金属结构与所述至少一个n型GaN基外延区之间产生肖特基接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿沃吉有限公司，未经阿沃吉有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280056163.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
