[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201280056224.3 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103946985B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吉村尚;宫崎正行;泷下博;栗林秀直 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,谭昌驰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过质子注入(13)在n‑型半导体基板(1)的内部引入氢原子(14)和结晶缺陷(15)。在质子注入(13)之前或质子注入(13)之后通过电子射线照射(11)，在n‑型半导体基板(1)的内部产生结晶缺陷(15)。然后，进行用于施主生成的热处理。通过将用于生成施主的热处理中的结晶缺陷(12、15)的量控制为最优，从而能够提高施主生成率。并且，通过在用于生成施主的热处理结束的时刻，使利用电子射线照射(11)和质子注入(13)而形成的结晶缺陷(12、15)恢复并控制为适当的结晶缺陷量，从而能够实现耐压的提高以及漏电流的降低等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板中利用质子注入来形成施主层，在所述半导体装置的制造方法中包括：结晶缺陷形成工序，在所述质子注入之前或在所述质子注入之后使结晶缺陷产生；施主层形成工序，进行所述质子注入和第一热处理，形成所述施主层，以基于在每次质子注入时所设定的预定的半导体基板中的平均射程计算出的加速能量来进行质子注入，在将所述质子注入的加速能量E的常用对数值log(E)设为y，将从所述质子注入的注入面起算的平均射程Rp的常用对数值log(Rp)设为x时，满足y＝‑0.0047x4+0.0528x3‑0.2211x2+0.9923x+5.0474。
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