[发明专利]透明导电膜层叠体及其制造方法和薄膜太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201280056855.5 | 申请日: | 2012-12-05 |
公开(公告)号: | CN104081534A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 曾我部健太郎;山野边康德;松村文彦 | 申请(专利权)人: | 住友金属矿山株式会社 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/054;C23C14/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供与Si层的接触性优异且光限制效应也优异的、可用作太阳能电池的表面电极的透明导电膜层叠体及其制造方法,以及薄膜太阳能电池及其制造方法。将在透光性基板(1)上形成的氧化铟系透明导电膜(I)(21)作为基底,在其上依次形成凹凸性优异的氧化锌系透明导电膜(II)(22)和具有高功函数的透明导电膜(III)(23),从而形成三层层叠结构。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电 层叠 及其 制造 方法 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种透明导电膜层叠体,其特征在于,具备:在透光性基板上形成的膜厚50nm以上且600nm以下的氧化铟系透明导电膜(I);在上述氧化铟系透明导电膜(I)上形成的膜厚200nm以上且1000nm以下的氧化锌系透明导电膜(II);以及在上述氧化锌系透明导电膜(II)上形成的膜厚5nm以上且200nm以下的氧化物系透明导电膜(III)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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