[发明专利]用于检测等离子体处理室中的DC偏置的系统、方法和装置有效
| 申请号： | 201280056979.3 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104040316A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 阿列克谢·马拉赫塔诺夫;拉金德尔·迪恩赛;肯·卢彻斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | G01L21/30 | 分类号： | G01L21/30 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种测量等离子体室中半导体晶片上的自偏置DC电压的系统和方法，其包括：在等离子体室中的顶电极和静电卡盘的顶表面之间产生等离子体，包括向所述顶电极和所述静电卡盘两者或者其中之一施加一个或多个RF信号。所述晶片被支撑于静电卡盘的所述顶表面上。在所述晶片上形成自偏置DC电压。震荡振动电极以产生可变电容，所述振动电极位于所述静电卡盘内。在传感器电路中形成电流。测量传感器电路中的跨越取样电阻的输出电压，向所述振动电极施加第二DC电势以抵消所述输出电压。所述第二DC电势等于所述晶片上的所述自偏置DC电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 等离子体 处理 中的 dc 偏置 系统 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种测量等离子体室中半导体晶片上的自偏置DC电压的方法，其包括：在等离子体室中的顶电极和静电卡盘的顶表面之间的区域产生等离子体，包括向所述顶电极和所述静电卡盘两者或者其中之一施加一个或多个RF信号，其中所述半导体晶片被支撑于静电卡盘的所述顶表面上；在所述半导体晶片上形成所述自偏置DC电压；震荡振动电极以产生可变电容，所述振动电极位于所述静电卡盘内；在连接到所述振动电极的传感器电路中形成电流；测量传感器电路中的跨越取样电阻的输出电压；以及向所述振动电极施加第二DC电势以抵消所述输出电压；其中所述第二DC电势等于所述半导体晶片上的所述自偏置DC电压。
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