[发明专利]多区域气体注入上电极系统有效
| 申请号： | 201280057644.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN104024477A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 赖安·拜斯;拉金德尔·迪恩赛;阿列克谢·马拉赫塔诺夫;李路民;南尚基;吉姆·罗杰斯;埃里克·赫德森;格拉尔多·德尔加迪诺;安德鲁·D·贝利三世;迈克·凯洛格;安东尼·德拉列拉;达雷尔·埃利希 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | C23F1/08 | 分类号： | C23F1/08 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种等离子体处理的系统和方法，该系统和方法包括等离子体处理系统，该等离子体处理系统包括等离子体室和耦联到所述等离子体室的控制器。所述等离子体室包括衬底支撑件和与所述衬底支撑件相对的上电极，所述上电极具有多个同心气体注入区域。 | ||
| 搜索关键词： | 区域 气体 注入 电极 系统 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理系统，其包括：等离子体室，其包括：衬底支撑件；和与所述衬底支撑件相对的上电极，所述上电极具有多个同心气体注入区域；以及控制器，其耦联到所述等离子体室。
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