[发明专利]基于半导体纳米粒子的发光材料有效

专利信息
申请号: 201280057720.0 申请日: 2012-09-20
公开(公告)号: CN103946147B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 詹姆斯·哈里斯;奈杰尔·皮克特;伊马德·纳萨尼 申请(专利权)人: 纳米技术有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/56;C09K11/88;H01L33/50;B82Y20/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李新红
地址: 英国曼*** 国省代码: 英国;GB
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种包含埋入主基体材料内的多个发光粒子的发光层。所述发光粒子的每一个均包含埋入聚合包封介质内的半导体纳米粒子群。本发明公开了一种制造包含埋入主基体材料内的多个发光粒子的发光层的方法,所述发光粒子的每一个均包含埋入聚合包封介质内的半导体纳米粒子群。该方法包括提供含有所述发光粒子的分散体,沉积所述分散体以形成膜,并且加工所述膜以制造所述发光层。本发明公开了一种发光器件,其包含与光漫射层或背光光通信的发光层。发光层包含埋入主基体材料内的多个发光粒子,所述发光粒子的每一个均包含埋入聚合包封介质内的半导体纳米粒子群。
搜索关键词: 发光粒子 发光层 半导体纳米粒子 基体材料 聚合包封 埋入 分散体 背光 发光材料 发光器件 光漫射层 光通信 沉积 制造 加工
【主权项】:
1.一种发光器件,所述发光器件包含:发光二极管;光漫射器,所述光漫射器远离所述发光二极管并且具有取向朝向所述发光二极管的第一表面和取向远离所述发光二极管的相对第二表面;和与所述光漫射器的所述第二表面直接接触的发光层,所述发光层包含埋入主基体材料内的多个发光粒子,所述发光粒子的每一个均包含埋入聚合包封介质内的半导体纳米粒子群,并且其中所述发光层为QD‑珠磷光体片的形式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳米技术有限公司,未经纳米技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280057720.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top