[发明专利]用于基板处理的激光反射仪有效
| 申请号： | 201280057787.4 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103959442B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 西奥多·P·莫菲特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式涉及用于在基板处理系统中控制激光装置以及与激光装置的运用相关的安全特征的方法和设备。一个实施方式中，提供一种用于处理基板的系统。所述系统包括腔室，所述腔室具有处理容积；第一激光装置，所述第一激光装置向所述处理容积中发射第一波长的射束；以及第二激光装置，所述第二激光装置向所述处理容积中发射第二波长的射束，其中所述第二波长与所述第一波长不同，并且所述第二激光装置包含滤光器，所述滤光器适于衰减所述第一波长和所述第二波长之一或两者。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 激光 反射 | ||
【主权项】：
一种用于处理基板的系统，所述系统包含：腔室，所述腔室具有处理容积；第一激光装置，所述第一激光装置向所述处理容积中发射第一波长的射束；以及第二激光装置，所述第二激光装置向所述处理容积中发射第二波长的射束，其中所述第二波长大于所述第一波长，并且所述第二激光装置包含滤光器，所述滤光器对所述第二波长的射束具透射性并且衰减所述第一波长的射束，其中所述滤光器设置在所述第一激光装置的射束路径中和所述第二激光装置的射束路径中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
