[发明专利]等离子体产生装置无效
| 申请号： | 201280057892.8 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103988587A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 山田幸香;宫本诚;竹之下一利;寺尾芳孝;平井伸岳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H05H1/24 | 分类号： | H05H1/24;A61L2/14;A61L9/22;F25D23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 为了提供不但非常安全而且具有优良的杀菌性能和除臭性能的等离子产生装置，此等离子体产生装置设置有一对电极并且用来在电极之间施加预定的电压时释放等离子体，该对电极在其面对的表面中的至少一侧上形成有电介质膜，该等离子体产生装置被配置为使得电介质膜的介电常数为20至200。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 产生 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体产生装置，包括一对电极，并且用来在所述电极之间施加预定的电压以释放等离子体，所述一对电极在其面对的表面中的至少一侧上形成有电介质膜，其中所述电介质膜具有20至200的相对介电常数。
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