[发明专利]具有低写入错误率的自旋转移力矩磁存储元件有效
| 申请号： | 201280057911.7 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103959407A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01F10/32 | 分类号： | H01F10/32;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种存储元件，包括：磁化固定层和磁化自由层。所述磁化固定层包括与形成在每对相邻的铁磁层之间的耦合层层压在一起的多个铁磁层。所述铁磁层的磁化方向相对于所述磁化固定层的磁化方向倾斜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 写入 错误率 自旋 转移 力矩 存储 元件 | ||
【主权项】：
一种存储元件，包括：磁化固定层；以及磁化自由层，包括与形成在每对相邻的铁磁层之间的耦合层层压在一起的多个铁磁层，其中，所述铁磁层的磁化方向相对于所述磁化固定层的磁化方向倾斜。
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