[发明专利]用于在基底上形成金纳米线的方法及由该方法形成的金纳米线有效
| 申请号： | 201280057924.4 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN103945966B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈虹宇;何嘉挺;王亚雯 | 申请（专利权）人： | 南洋理工大学 |
| 主分类号： | B22F9/16 | 分类号： | B22F9/16;B82Y40/00;B82B1/00;H01B1/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 新*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 提供了用于在基底上形成金纳米线的方法。所述方法包括a)附着贵金属纳米颗粒到所述基底上；和b)使所述贵金属纳米颗粒接触包含配位体、金离子和还原剂的水溶液，其中，所述配位体为具有巯基的有机化合物。还提供了通过根据所述方法形成的金纳米线及包括所述金纳米线的电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基底 形成 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在基底上形成金纳米线的方法，所述方法包括：a)附着贵金属纳米颗粒到所述基底上；b)使附着在所述基底上的所述贵金属纳米颗粒接触包含配位体、金离子和还原剂的水溶液，其中，所述配位体为具有巯基的有机化合物；和c)在所述基底上生长所述金纳米线，其中，所述金纳米线中的每个从所述基底扩展生长。
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