[发明专利]提供不透气性改进的多层结构

摘要

本申请描述了一种多层结构以及用于获得所述多层结构的方法。所述多层结构包括基底(2)和第一叠层，所述第一叠层由SiO₂层(A)和由SiO_xN_yH_z类材料制成的层(B)组成，所述由SiO_xN_yH_z类材料制成的层(B)定位在所述基底(2)和所述SiO₂层(A)之间；其中，所述SiO₂层(A)和所述由SiO_xN_yH_z类材料制成的层(B)具有厚度(e_B、e_A)，以便所述SiO₂层(A)的厚度小于或等于60nm，所述由SiO_xN_yH_z类材料制成的层(B)的厚度(e_B)为所述SiO₂层(A)的厚度(e_A)的两倍以上，并且所述SiO₂层(A)的厚度与所述由SiO_xN_yH_z类材料制成的层(B)的厚度的总和在100nm至500nm之间；并且其中，z严格地为正值并且严格地小于比值(x+y)/5，有利地，z严格地小于比值(x+y)/10。所述生产方法包括：通过波长小于或等于220nm的VUV射线和波长大于或等于220nm的紫外辐射的辐照，使全氢聚硅氮烷类的液体无机前体进行转化。

主权项

一种多层结构，所述多层结构包括基底(2)和第一叠层，所述第一叠层由SiO₂层(A)和SiO_xN_yH_z类材料层(B)组成，所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)位于所述基底(2)和所述SiO₂层(A)之间；其中，所述SiO₂层(A)和所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)具有厚度(e_B、e_A)，以便所述SiO₂层(A)的厚度小于或等于60nm，所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)的厚度(e_B)为所述SiO₂层(A)的厚度(e_A)的两倍以上，并且所述SiO₂层(A)的厚度与所述SiO_xN_yH_z类材料层(B)的厚度的总和在100nm至500nm之间；并且其中，z严格地为正值并且z严格地小于比值(x+y)/5，并且有利地，z严格地小于比值(x+y)/10。