[发明专利]对波导中的背向反射的抑制有效
申请号: | 201280058439.9 | 申请日: | 2012-10-09 |
公开(公告)号: | CN103998964B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 斯蒂芬·斯韦内;张亚平 | 申请(专利权)人: | 阿斯特里姆有限公司 |
主分类号: | G02B6/293 | 分类号: | G02B6/293;G02B6/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 杨静 |
地址: | 英国赫*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于引导电磁辐射的结构,包括衬底(230);波导(220),设置在所述衬底上,具有用于接收电磁辐射的第一端(220a)和第二端(220b);以及抗反射区域(270),设置在衬底上的波导的第二端处(220b),优化抗反射区域的长度和宽度,以便抑制到达所述第二端的辐射的背向反射。 | ||
搜索关键词: | 波导 中的 背向 反射 抑制 | ||
【主权项】:
一种用于引导电磁辐射的结构,包括:衬底(230);波导(220),设置在所述衬底上,具有第一端(220a)和第二端(220b),所述第一端(220a)用于接收电磁辐射;以及抗反射区域(270),设置在衬底上波导的所述第二端(220b)处,优化抗反射区域的长度和宽度,以便抑制到达所述第二端的辐射的背向反射;其中所述抗反射区域的宽度大于抗反射区域中电磁辐射的波长,并且所述抗反射区域的长度长于抗反射区域中所述电磁辐射的波长,使得从波导进入所述抗反射区域的电磁辐射在所述抗反射区域中变为无导向的并且被吸收;其中所述结构包括形成所述波导和抗反射区域的一个或多个层,所述一个或多个层包括具有带隙的量子阱层,被配置为吸收所述抗反射区域中的电磁辐射。
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