[发明专利]具有改进的电特性的绝缘体上半导体结构无效
| 申请号： | 201280058459.6 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103959456A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 康斯坦丁·布德尔 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种半导体结构(1300)，其包括：第一半导体层；体半导体层；在所述第一半导体层与所述体半导体层之间的绝缘层；至少部分地在所述绝缘层内的第一注入区(1220)；以及至少部分地在所述体半导体层内的第二掺杂区(1310)；其中，所述第一注入区(1220)具有在所述绝缘层内示出最大值以及在所述体半导体层内延伸的尾部的注入分布，以抑制所述第二掺杂区(1310)的第二掺杂材料在所述绝缘层内的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 特性 绝缘体 上半 导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构(1300)，其包括：‑第一半导体层(1101)，‑体半导体层(1103)，‑在所述第一半导体层(1101)与所述体半导体层(1103)之间的绝缘层(1102)，‑第一注入区(1220)，所述第一注入区(1220)至少部分地在所述绝缘层(1102)内；以及‑第二掺杂区(1310)，所述第二掺杂区(1310)至少部分地在所述体半导体层(1103)内，其中，所述第一注入区(1220)具有在所述绝缘层(1102)内示出最大值以及在所述体半导体层(1103)内延伸的尾部的注入分布，以抑制所述第二掺杂区(1310)的第二掺杂材料(1304)在所述绝缘层(1102)内的扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
