[发明专利]SiC单晶、SiC晶片以及半导体器件有效
| 申请号： | 201280059156.6 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104024492B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 郡司岛造;浦上泰;安达步 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 刘凤岭,陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC单晶，其包含具有{0001}面内方向(主要与＜11‑20＞方向平行的方向)的柏氏矢量的位错的密度为3700cm/cm2以下的低位错密度区域(A)。这样的SiC单晶是采用以下的方法得到的从a面生长晶体切出高偏置角的c面生长籽晶，进行c面生长使得被导入至c面刻面的螺旋位错密度在规定范围内，从得到的c面生长晶体中切出低偏置角的c面生长晶体，进行c面生长使得被导入至c面刻面的螺旋位错密度在规定范围内。SiC晶片以及半导体器件由这样的SiC单晶得到。 | ||
| 搜索关键词： | sic 晶片 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶，其特征在于：包含具有{0001}面内方向的柏氏矢量的位错的体积密度为3700cm/cm3以下的低位错密度区域(A)，所述具有{0001}面内方向的柏氏矢量的位错包括基底面位错和贯通型刃型位错这两者。
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