[发明专利]用于铜阻挡层应用的掺杂的氮化钽

摘要

本发明描述掺杂的TaN薄膜以及用于提供掺杂的TaN薄膜的方法。用Ru、Cu、Co、Mn、Al、Mg、Cr、Nb、Ti和/或V掺杂TaN薄膜得以增强TaN薄膜的铜阻挡性质。还描述提供薄膜的方法，该薄膜具有第一层和第二层，该第一层包含掺杂的TaN，该第二层包含Ru和Co中之一或更多者，且选择性地掺杂该第二层。

主权项

一种在微电子装置中形成互连结构的方法，所述方法包括以下步骤：提供上面设置有介电层的基板，所述介电层具有一个或更多个沟槽和/或过孔，所述沟槽和/或过孔具有开口、侧壁和底部；在至少一部分所述沟槽和/或过孔的所述侧壁和/或底部上沉积阻挡层，所述阻挡层包含TaN和一种或更多种掺杂剂，所述掺杂剂选自Ru、Cu、Co、Mn、Al、Mg、Cr、Nb、Ti和V，以提供内衬的沟槽和/或过孔；和在所述内衬的沟槽和/或过孔中沉积含Cu的导电材料。