[发明专利]用于制造半导体激光器器件的方法及半导体激光器器件无效
| 申请号： | 201280059413.6 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103959579A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 滨口达史;高木慎平 | 申请（专利权）人： | 索尼公司;住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01L21/301;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据用于制造半导体激光器元件(100)的这个方法，切割导向槽(104)形成在生产基板(110)的表面上，其中，在具有半极性平面(1a)的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板(1)上形成包括发光层(14)的外延层(2)。沿着位于共振器端面侧(102，103)的半导体激光器器件(100)的划线(BL1)延伸并且具有V型横截面的切割导向槽(104)形成在位于划线(BL1)上并且包括半导体激光器器件(100)的至少一个拐角的局部区域中。沿着划线(BL1)切割具有形成在其上的切割导向槽(104)的生产基板(110)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体激光器 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体激光器器件的方法，所述方法包括：在具有半极性平面的六方晶系Ⅲ族氮化物半导体基板上制备生产基板，所述生产基板具有包括所述半导体激光器器件的发光层的外延层；在所述生产基板的表面的局部区域上形成切割导向槽，所述局部区域位于所述半导体激光器器件的共振器端面侧的划线上并且包括所述半导体激光器器件的一个或多个拐角，并且在沿着所述划线的延伸方向上形成所述切割导向槽，并且当从所述延伸方向观看时所述切割导向槽的横截面呈V型；以及沿着所述划线切割形成有所述切割导向槽的所述生产基板。
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