[发明专利]制造单晶硅有效
| 申请号： | 201280059492.0 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104246022A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·绍尔;奥列格·费费洛夫;卡内尔·洛德 | 申请（专利权）人： | REC光能普特有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 丁业平;金小芳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明使用定向凝固工艺来制造晶体硅锭。具体而言，在坩埚中，在晶体取向一致的晶种层上方装载硅原料。使所述硅原料以及使所述晶种层的上部熔融以在所述坩埚中形成熔融材料。随后该熔融材料凝固，并且在此过程中，硅锭中形成了以所述晶种层的晶体结构为基础的晶体结构。所述晶种层被设置为使得{110}晶面垂直于凝固方向。据发现，与可供选择的其他晶体取向相比，本发明的工艺使得形成于所述锭中的单晶硅的比例得到了实质性改善，并且在各向同性纹理化之后，能够获得高度均一的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 单晶硅 | ||
【主权项】：
一种制造晶体硅的方法，该方法包括：在坩埚中提供晶体取向一致的硅晶种层；在所述晶种层上提供硅原料；使所述硅原料以及使所述晶种层的上部熔融，从而在所述坩埚中生成熔融硅；定向凝固所述熔融硅以形成硅锭；其中所述晶种层被设置为使得所述熔融硅的凝固发生在垂直于所述晶种层的{110}晶面的方向上。
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