[发明专利]具有钝化的切换层的非易失性电阻式存储器元件无效
| 申请号： | 201280059555.2 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104094430A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 查伦·陈;迪潘克尔·普拉马尼克 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D有限责任公司;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L47/00 | 分类号： | H01L47/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种非易失性电阻式存储器元件具有在沉积切换层期间或之后利用例如氮等非金属掺杂剂原子进行钝化的新型可变电阻层。在可变电阻层中非金属掺杂剂原子的存在使切换层能够通过较小的切换电流来进行操作同时维持改进的数据保持特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钝化 切换 非易失性 电阻 存储器 元件 | ||
【主权项】：
一种形成非易失性存储器元件的方法，包括：形成第一层，所述第一层能够作为可变电阻层操作并且包括在第二层上方的金属氧化物，所述第二层能够作为电极层操作，其中，所述第一层包括高达3原子百分比的非金属掺杂剂原子；以及形成能够作为电极层操作的第三层，使得所述第一层设置在所述第二层与所述第三层之间。
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