[发明专利]有机场效应晶体管有效
| 申请号： | 201280059854.6 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103975453B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | P·比雅尔;N·舍博塔莱瓦;T·魏茨;P·哈约兹 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;C08G61/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 王丹丹,刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子组件或器件，其包含栅极电极、源极电极和漏极电极，其中该组件或器件进一步包括在源极电极与漏极电极之间提供的有机半导体(OSC)材料，其中该OSC材料包含(a)由式(I)表示的聚合物，和(b)式(II)化合物。可通过选择包含由式I表示的聚合物和(b)式II化合物的半导体材料来制造高质量OFET。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种包含栅极电极、源极电极和漏极电极的电子组件或器件，其中该电子组件或器件进一步包含提供在该源极电极与漏极电极之间的有机半导体(OSC)材料，其中该OSC材料包含(a)由下式表示的聚合物：其中A6和A7为s表示整数1或2；t表示整数1或2；M选自v表示整数1或2；R101和R102为C1‑C38烷基和n为5至1,000，和(b)下式的化合物其中a为1或2；b为0或1；c为0或1；R1和R2相同或不同且为C1‑C38烷基，Ar1、Ar2和Ar3为二价基团R3为氢，其中该式IIa化合物的含量基于该式Ib的聚合物与该式IIa化合物的量为0.1‑99.9重量％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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