[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201280059896.X | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104040737B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 柏原博之;冈田成仁;只友一行;泷口治久 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社;国立大学法人山口大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其由n型氮化物半导体层(13)、触发层(14)、V形坑扩大层(15)、发光层(16)、p型氮化物半导体层(17)按照此顺序依次设置而构成。发光层(16)中形成有V形坑(31)。触发层(14)由晶格常数不同于构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料的氮化物半导体材料构成。V形坑扩大层(15)由晶格常数与构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料实质上相同的氮化物半导体材料构成，其厚度在5nm以上、5000nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，该氮化物半导体发光元件由n型氮化物半导体层、触发层、V形坑扩大层、发光层、p型氮化物半导体层按照此顺序依次设置而构成，所述发光层中形成有V形坑，所述触发层由晶格常数不同于构成所述n型氮化物半导体层的上表面的材料的氮化物半导体材料构成，所述V形坑扩大层由晶格常数与构成所述n型氮化物半导体层的上表面的材料实质上相同的氮化物半导体材料构成，且厚度在5nm以上、5000nm以下,所述触发层的厚度为20nm以下，所述发光层为MQW层，所述MQW层在V形坑的倾斜刻面上具有一部分。
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