[发明专利]用于有机半导体器件的二酮基吡咯并吡咯聚合物在审
申请号: | 201280059932.2 | 申请日: | 2012-12-03 |
公开(公告)号: | CN103975454A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | P·哈约兹;P·比雅尔 | 申请(专利权)人: | 巴斯夫欧洲公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张双双;林柏楠 |
地址: | 德国路*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: |
本发明涉及聚合物(I)或(II)及其作为有机器件,尤其是有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管,或含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的有机半导体的用途。本发明的聚合物具有在有机溶剂中的优异溶解度和优异成膜性质。此外,当将本发明的聚合物用于有机场效应晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中时,可观察到高能量转化效率、优异场效应迁移率、良好开/关电流比和/或优异稳定性。 |
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搜索关键词: | 用于 有机 半导体器件 二酮基 吡咯 聚合物 | ||
【主权项】:
一种下式的聚合物
其中x=0.70至0.99,y=0.30至0.01,且其中x+y=1,r+s=0.50至0.99,t+u=0.50至0.01,且其中r+s+t+u=1,A为式
的基团,其中R1和R2可相同或不同且选自氢、C1‑C38烷基、C2‑C38链烯基、C3‑C38炔基,其各自可任选经‑O‑、‑S‑或COO间隔一次或多次;可经C1‑C8烷基、C1‑C8烷氧基、CF3和/或F取代1‑5次的C7‑C100芳烷基;和可任选经C1‑C25烷基、C1‑C8烷氧基、卤素或氰基取代一次或多次的苯基;Ar1和Ar2彼此独立地为下式的基团:![]()
B为式III的基团,其不同于A,D具有Ar1的含义,或为式
的基团;R204和R205彼此独立地为H、CN、COOR206或C1‑C8烷基;R206为C1‑C18烷基;E为下式的基团:![]()
![]()
其不同于D,其中k为1,l为0或1,v为0或1,z为0或1,a为1‑5的整数,Ar4、Ar5、Ar6和Ar7彼此独立地为下式的基团:![]()
其中X5和X6中的一个为N且另一个为CR14,Ar20为亚芳基、或亚杂芳基,其各自可任选经取代,R12和R12'彼此独立地为氢、卤素、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C1‑C25烷基;C1‑C25烷氧基、C7‑C25芳烷基或
R13为C1‑C8烷基或三(C1‑C8烷基)甲硅烷基,R14、R14'、R15、R15'、R17和R17'彼此独立地为H或可任选经一个或多个氧原子间隔的C1‑C25烷基;R18和R18'彼此独立地为氢、卤素、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C1‑C25烷基;C7‑C25芳烷基或C1‑C25烷氧基;R19为氢、C7‑C25芳烷基、C6‑C18芳基;经C1‑C18烷基或C1‑C18烷氧基取代的C6‑C18芳基;或可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C1‑C25烷基;R20和R20'彼此独立地为氢、C7‑C25芳烷基、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C1‑C25烷基,X7为‑O‑、‑S‑、‑NR115‑、‑Si(R117)(R117')‑、‑C(R120)(R120')‑、‑C(=O)‑、![]()
X8为‑O‑或‑NR115‑;R100和R100'彼此独立地为H、F、C1‑C18烷基、经O间隔的C1‑C18烷基、C1‑C18烷氧基、经O间隔的C1‑C18烷氧基、C1‑C18全氟烷基、可任选经C1‑C8烷基和/或C1‑C8烷氧基取代1‑3次的C6‑C24芳基、可任选经C1‑C8烷基和/或C1‑C8烷氧基取代1‑3次的C2‑C20杂芳基;R101和R101'彼此独立地为H、F、C1‑C18烷基、经O间隔的C1‑C18烷基、C1‑C18烷氧基、经O间隔的C1‑C18烷氧基、C1‑C18全氟烷基、可任选经C1‑C8烷基和/或C1‑C8烷氧基取代1‑3次的C6‑C24芳基、可任选经C1‑C8烷基和/或C1‑C8烷氧基取代1‑3次的C2‑C20杂芳基;R102和R102'彼此独立地为H、卤素、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C1‑C25烷基;C7‑C25芳烷基或C1‑C25烷氧基;R103和R103'彼此独立地为氢、卤素、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C1‑C25烷基;可任选经C1‑C8烷基和/或C1‑C8烷氧基取代1‑3次的C6‑C24芳基;C7‑C25芳烷基、CN或C1‑C25烷氧基;或R103和R103'一起形成环,R115和R115'彼此独立地为氢、C6‑C18芳基;经C1‑C18烷基或C1‑C18烷氧基取代的C6‑C18芳基;可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C1‑C25烷基;或C7‑C25芳烷基,R116为氢、C7‑C25芳烷基、C6‑C18芳基;经C1‑C18烷基、C1‑C18全氟烷基或C1‑C18烷氧基取代的C6‑C18芳基;C1‑C25烷基;经‑O‑或‑S‑间隔的C1‑C25烷基;或‑COOR119;R119为C1‑C38烷基;R117和R117'彼此独立地为C1‑C35烷基、C7‑C25芳烷基或苯基,其可任选经C1‑C8烷基和/或C1‑C8烷氧基取代1‑3次,R120和R120'彼此独立地为氢、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C1‑C38烷基;或C7‑C25芳烷基,和R121为H、可任选经一个或多个氧或硫原子间隔的C1‑C18烷基、C1‑C18全氟烷基、可任选经C1‑C8烷基和/或C1‑C8烷氧基取代1‑3次的C6‑C24芳基;可任选经C1‑C8烷基和/或C1‑C8烷氧基取代1‑3次的C2‑C20杂芳基;或CN。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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