[发明专利]太阳能电池和太阳能电池的制造方法无效
| 申请号： | 201280059996.2 | 申请日： | 2012-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103975444A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 椎野修;冲野贤司;吉川雅人;宫野真理;中村智;山本由纪子 | 申请（专利权）人： | 株式会社普利司通 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该太阳能电池(1)由第一电极层(1C)、半导体层(1A)和第二电极层(1D)层叠而构成。第一电极层(1C)设置在半导体层(1A)的光入射面侧。第一电极层(1C)和半导体层(1A)经肖特基接合界面接合。第二电极层(1D)设置在半导体层(1A)的光入射面的对侧上。第二电极层(1D)和半导体层(1A)经欧姆接触接合。第一电极层(1C)包含可见光吸收材料。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其由第一电极层、半导体层和第二电极层层叠而构成，其中，所述第一电极层设置在所述半导体层的光照射面侧上，所述第一电极层和所述半导体层通过肖特基接合界面接合在一起，所述第二电极层设置在所述半导体层的光照射面的对侧上，所述第二电极层和所述半导体层通过欧姆接触接合在一起，和所述第一电极层包含可见光吸收材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
