[发明专利]导电膜形成方法、铜微粒分散体和电路板无效
| 申请号： | 201280060112.5 | 申请日： | 2012-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN103975654A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 川户祐一;三田伦广;前田祐介;工藤富雄 | 申请（专利权）人： | 日本石原化学株式会社;应用纳米技术控股股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/12 | 分类号： | H05K3/12;H05K3/18 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 吴小瑛;邹宗亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种导电膜形成方法，该方法通过利用光烧结甚至在基底材料具有低耐热性时也可以在基底材料上形成具有低电阻的导电膜。导电膜形成方法是在基底材料1上形成导电膜2的方法，并且该方法包括以下步骤：在基底材料上形成由铜微粒4构成的膜3b，对膜3b进行光烧结，以及对经光烧结的膜3c实施镀敷。藉此通过降低光烧结过程中的光照射能量甚至在基底材料1具有低耐热性时也可以在基底材料1上形成导电膜2。由于导电膜2包括镀层21，因此电阻降低。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 形成 方法 微粒 散体 电路板 | ||
【主权项】：
在基底材料上形成导电膜的导电膜形成方法，所述方法包括以下步骤：在基底材料上形成由铜微粒构成的膜；对所述膜进行光烧结；以及对经光烧结的膜实施镀敷。
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