[发明专利]光电转换器、光电转换器阵列和成像器件有效
| 申请号： | 201280060268.3 | 申请日： | 2012-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN103975581B | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 林丰;太田敏隆;永宗靖;渡边博文;根来宝昭;君野和也 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术总合研究所;株式会社理光 |
| 主分类号： | H04N5/3745 | 分类号： | H04N5/3745;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 王颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 光电转换器包括包括不同传导类型的至少两个半导体区域的第一pn结；以及包括与半导体区域之一连接的第一源极、第一漏极、第一绝缘栅极以及与半导体区域之一的传导类型沟道相同的传导类型沟道的第一场效应晶体管。用在其第一pn结相对于其他半导体区域的电势变为0偏置或反向偏置的第二电势供应第一漏极。当第一源极转到第一电势且第一半导体区域之一相对于其他半导体区域变为0偏置或反向偏置时，即使半导体区域中的任一个暴露给光时，通过向第一绝缘栅极供应第一栅极电势控制第一pn结不被深度正向电压偏置。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换器 阵列 成像 器件 | ||
【主权项】：
一种光电转换器，包括：第一pn结，具有光电转换功能并包括不同传导类型的至少两个半导体区域；以及第一场效应晶体管，包括第一源极、第一漏极、第一绝缘栅极，所述第一源极与所述半导体区域之一连接，其中，当所述半导体区域的任一个暴露给光时，光电流流入所述第一pn结中，其中：所述第一场效应晶体管包括与半导体区域之一的传导类型沟道相同的传导类型沟道；用第二电势供应所述第一场效应晶体管的第一漏极，在该第二电势，所述第一pn结相对于其他所述半导体区域的电势是0偏置或反向偏置；以及通过总是向所述第一绝缘栅极供应当所述第一源极达到在其所述半导体区域之一变得相对于其他所述半导体区域0偏置或反向偏置的第一电势时使得所述第一场效应晶体管传导的第一栅极电势，所述光电转换器配置为即使两个所述半导体区域中的任一个暴露给光时，控制所述第一pn结的饱和不被深度正向电压偏置。
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