[发明专利]用于生产结晶半导体锭的坩埚及其制造方法在审
| 申请号： | 201280060933.9 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103987881A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 吉尔伯特·兰库勒;克里斯蒂安·马丁;劳伦·杜布瓦 | 申请（专利权）人： | 维苏威法国股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B11/14;C30B29/06;C30B35/00;C30B28/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 脱颖 |
| 地址： | 法国费*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于生产结晶半导体锭的坩埚(1)，所述坩埚包括由底板(1a)和周边侧壁(1b)限定的内部体积，所述底板(1a)的顶表面包括限定第一水平平面(H)的平面部分，所述周边侧壁(1b)各自包括内表面，所述内表面包括基本上竖直的平面部分，其限定了基本上竖直的平面(V)并且垂直于第一水平平面(H)，所述侧壁(1b)在底板(1a)的周边通过形成至少1mm的曲率半径R1而连接底板(1a)，其特征在于，在第一水平平面(H)与由各侧壁(1b)的基本上竖直的平面部分限定的基本上竖直的平面(V)之间形成交会的相交线(hv)完整地位于侧壁(1b)上、底板(1a)上或坩埚的内部体积中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 结晶 半导体 坩埚 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生产结晶半导体锭的坩埚(1)，所述坩埚包括由底板(1a)和周边侧壁(1b)限定的内部体积，所述底板(1a)的顶表面包括限定第一水平平面(H)的平面部分，所述周边侧壁(1b)各自包括内表面，所述内表面包括基本上竖直的平面部分，其限定了基本上竖直的平面(V)并且垂直于所述第一水平平面(H)，所述侧壁(1b)通过在所述底板(1a)的周边形成至少1mm的曲率半径R1而连接所述底板(1a)，其特征在于，在所述第一水平平面(H)与由各侧壁(1b)的所述基本上竖直的平面部分限定的所述基本上竖直的平面(V)之间形成交会的相交线(hv)完整地位于所述侧壁(1b)上、所述底板(1a)上或所述坩埚的内部体积中。
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