[发明专利]气体传感器无效
| 申请号： | 201280060963.X | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103988071A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 下山勋;松本洁;竹井裕介;高桥英俊;气驾升;本多祐仁 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京大学;欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01N27/414;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455 | 代理人： | 吴京顺;施蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种气体传感器，与现有的气体传感器相比能够以简单结构提高对气体的检测灵敏度。在该气体传感器中，在离子液体(IL)中形成有具有栅绝缘层的双电层，因吸收气体而产生的离子液体(IL)的栅绝缘层的状态变化直接反映到在碳纳米管(8)中流动的源漏电流(Isd)，因此与现有的气体传感器相比能够提高对气体的检测灵敏度。另外，只要将离子液体(IL)按照与碳纳米管(8)和栅极(7)接触的方式设置在基板(2)上即可，因此不需要像现有的气体传感器那样用多种聚合物对碳纳米管进行表面化学修饰的结构，因此能够使其结构相应地变得简单。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 传感器 | ||
【主权项】：
一种气体传感器，检测作为检测对象的气体，其特征在于，所述气体传感器包括：碳纳米管，所述碳纳米管设置在基板上的源极和漏极之间，并且源漏电流在所述碳纳米管中流动；气体吸收液体，所述气体吸收液体按照覆盖所述碳纳米管的方式配置，其中，根据因所述气体吸收液体吸收所述气体而在所述碳纳米管上产生的源漏电流的变化，检测所述气体。
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