[发明专利]用于形成ETSOI电容器、二极管、电阻器和背栅接触部的方法和结构有效
| 申请号： | 201280061138.1 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104025298A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;T·N·亚当;A·克哈基弗尔鲁茨;A·雷茨尼采克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过在替换栅极HK/MG(80,85)流程中经由ETSOI(20)层和BOX(15)层进行蚀刻来在晶体管和电容器区域中分别形成ETSOI晶体管以及电容器、结合二极管、背端接触部和电阻器的组合。电容器和其它器件的形成与ETSOI替换栅极CMOS流程兼容。低电阻的电容器电极使得可以获得高质量的电容器和器件。通过光刻与伴随有的适当蚀刻相结合来实现在伪栅极(27)图案化期间不存在形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 etsoi 电容器 二极管 电阻器 接触 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种用于在绝缘体上半导体(SOI)衬底上形成半导体结构的方法，包括：在叠加于掩埋氧化物(BOX)层(15)的极薄绝缘体上半导体(ETSOI)层(20)上在第一区域中形成ETSOI晶体管，所述ETSOI晶体管包括由隔离物(30)限定的伪栅极(27)和邻接所述隔离物(30)的隆起型源极和漏极(RSD)(40)；替换所述伪栅极(27)，沉积高k电介质(28)，之后在所述高k电介质(28)上沉积金属栅极(80)；以及在与所述ETSOI晶体管共面的第二区域中形成一个或多个电容器，所述一个或多个电容器具有由所述ETSOI的掺杂的所述RSD区域形成的第一电极和由所述金属栅极形成的第二电极，所述高K电介质使所述第一电极与所述第二电极分离；通过选择性地使所述ETSOI和所述BOX凹进来形成至少一个pn结二极管，利用所述金属栅极(80)填充所述结二极管以形成针对第一端子的一个接触部，其中所述金属栅极的接触部经由所述高K栅极电介质和隔离物与所述ETSOI和RSD电隔离；通过使所述SOI和所述BOX凹进以及外延生长回来以形成平面接触部来形成一个或多个背栅接触部；以及通过使所述ETSOI和所述BOX层凹进并且使用外延生长填充所述凹进来在被替换的伪栅极之后形成一个或多个电阻器。
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