[发明专利]用于降低的电流拥挤的双极性结型晶体管结构及制造其的方法有效
| 申请号： | 201280061214.9 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103975439B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | L.程;A.K.阿加瓦尔;S-H.刘 | 申请（专利权）人： | 科锐 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 蒋骏,刘春元 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容涉及相对于常规BJT在改善电流增益的同时显著降低电流拥挤的双极性结型晶体管（BJT）结构。BJT包括集电极、基极区、和发射极。所述基极区被形成在所述集电极上方并包括至少一个外基区并包括内基区，所述内基区在所述至少一个外基区之上延伸以提供台式晶体管。所述发射极被形成在所述台式晶体管上方。BJT可以由各种材料体系形成，诸如碳化硅（SiC）材料体系。在一个实施例中，发射极在台式晶体管上方形成，使得实质上没有发射极在外基区上方形成。通常，但不必须，内基区直接横向邻接至少一个外基区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 电流 拥挤 极性 晶体管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有降低的电流拥挤的双极性结型晶体管，包括：·集电极；·基极区，被形成在所述集电极上方并包括：外基区；以及内基区，所述内基区在所述外基区之上延伸以提供台式晶体管，其中所述台式晶体管具有带有凹槽的顶部表面，该凹槽具有向下延伸到所述内基区中的侧壁；以及·发射极，被形成在所述台式晶体管上方以使得所述发射极与所述侧壁接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科锐，未经科锐许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280061214.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
