[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201280062105.9 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103999245A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 徐源哲;赵大成;李贞勋;南基范 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/32;H01L21/20;H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩芳;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体装置及制造该半导体装置的方法。一种发光二极管(LED)包括：导电基底；以及氮化镓(GaN)基半导体堆叠件，位于导电基底上。半导体堆叠件包括作为半极性半导体层的活性层。因此，能够提供具有提高的发光效率的LED。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管(LED)，包括：导电基底；以及氮化镓(GaN)基半导体堆叠件，位于导电基底上，其中，半导体堆叠件包括作为半极性半导体层的活性层。
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