[发明专利]与用于异质结双极晶体管工艺中金属化的阻挡层有关的装置和方法在审
| 申请号： | 201280062235.2 | 申请日： | 2012-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103999224A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | C.西斯马卢;小彼得.J.赞帕蒂 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H04B1/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 所公开的是与用于诸如磷化铟镓(InGaP)的选择的半导体的金属化的阻挡层有关的结构和方法。在一些实施例中，所述阻挡层可包括氮化钽(TaN)。这种阻挡层可提供期望的特性，比如阻挡功能性、改善的金属层粘附性、降低的扩散性、金属与InGaP之间的降低的反应性以及制造过程中的稳定性。在一些实施例中，以这种方式形成的结构可被构造为砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)的发射极或片上高值电容元件。在一些实施例中，一些前述结构可被构造为具有代表该发射极层厚度的电容值的电容元件。相应地，在不同HBT工艺中监测这种电容值允许监测发射极层的完好性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 异质结 双极晶体管 工艺 金属化 阻挡 有关 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种金属化结构，包括：选择的半导体层，包括与砷化镓(GaAs)晶格匹配的宽带隙半导体；氮化钽(TaN)层，形成在所述选择的半导体层之上；以及金属层，形成在所述TaN层之上，所述TaN层形成所述金属层和所述选择的半导体层之间的阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天工方案公司，未经天工方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280062235.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种热转移拓印植物的新方法
- 下一篇：转印膜、转印设备及其转印方法
- 同类专利
- 专利分类
