[发明专利]氮化物半导体激光器以及外延基板在审
| 申请号： | 201280062606.7 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103999305A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 京野孝史;盐谷阳平;住友隆道;善积祐介;上野昌纪;梁岛克典;田才邦彦;中岛博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/34;H01S5/343;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李亚;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能够缩小光封闭性的降低并且降低驱动电压的氮化物半导体激光器。在半导体区域(19)中，发光层(13)的活性层(25)、第一包覆区域(21)以及第二包覆区域(23)设置在主面(17a)上。第二包覆区域(23)包括第一p型III族氮化物半导体层(27)以及第二p型III族氮化物半导体层(29)。第一p型III族氮化物半导体层(27)由AlGaN层构成，第二p型III族氮化物半导体层(29)由与该AlGaN层不同的半导体构成。该AlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层(27)设置在第二p型III族氮化物半导体层(29)与活性层(25)之间。第二p型III族氮化物半导体层(29)的电阻率(ρ29)低于第一p型III族氮化物半导体层(27)的电阻率(ρ27)。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体激光器 以及 外延 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体激光器，包括：导电性的支撑基体，具有由氮化镓类半导体构成的主面；活性层，设置在所述主面上；以及p型氮化物半导体区域，设置在所述主面上，所述主面相对于与在所述氮化镓类半导体的c轴方向上延伸的基准轴正交的基准面倾斜，所述活性层设置在所述支撑基体与所述p型氮化物半导体区域之间，所述p型氮化物半导体区域包括p型包覆区域，所述p型包覆区域包括第一p型III族氮化物半导体层以及第二p型III族氮化物半导体层，所述第一p型III族氮化物半导体层设置在所述第二p型III族氮化物半导体层与所述活性层之间，所述第一p型III族氮化物半导体层由AlGaN层构成，所述第二p型III族氮化物半导体层由与所述第一p型III族氮化物半导体层的所述AlGaN层不同的材料构成，所述AlGaN层内含各向异性的应变，所述第一p型III族氮化物半导体层的所述AlGaN层的带隙在所述p型包覆区域中最大，所述第二p型III族氮化物半导体层的电阻率低于所述第一p型III族氮化物半导体层的电阻率。
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