[发明专利]制造多晶硅的方法

摘要

本发明涉及一种制造多晶硅的方法。根据本发明，可以防止在硅棒的生长过程中发生熔融，并且能够以最小的能耗短期内制造具有较大直径的多晶体硅棒。

主权项

一种制造多晶硅的方法，包括以下步骤：在设置有硅棒的反应器中使包含二氯硅烷和三氯硅烷且预热到50至500℃的原料气体与氢气反应以在硅棒上沉积多晶硅，其中使所述硅棒的表面温度维持在1000至1200℃；和在多晶硅的沉积步骤中根据反应进程调节包含在原料气体中的二氯硅烷与三氯硅烷的摩尔比，其中进行沉积步骤使在原料气体中所包含的二氯硅烷与三氯硅烷的摩尔比为10至65摩尔％直到下述公式的过程进行到20至50％的任一点；并且自上述点起直到反应终止使在原料气体中所包含的二氯硅烷与三氯硅烷的摩尔比小于10摩尔％：[公式]过程的进展率(％)＝{(D_T‑D₀)/(D_E‑D₀)}×100其中D₀是反应前硅棒的直径，D_E为反应终止后硅棒的直径，以及D_T是在反应的任一点的硅棒的直径，且D₀≤D_T≤D_E。