[发明专利]硅微粒的制造方法和制造设备无效
| 申请号： | 201280063138.5 | 申请日： | 2012-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104010967A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 远藤忍;岩渊芳典;山本由纪子 | 申请（专利权）人： | 株式会社普利司通 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/025 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明的硅微粒的制造方法包括：在由非碳物质形成的区域(20)中在惰性气氛下使用加热手段加热前驱体的步骤(A)，其中前驱体通过干燥含硅源和碳源的混合物来获得；和在由非碳物质形成的区域(20)中在惰性气氛下迅速冷却通过加热前驱体产生的气体的步骤(B)。硅源和/或碳源为液态。 | ||
| 搜索关键词： | 微粒 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种硅微粒的制造方法，其包括：在由非碳物质形成的区域中，在惰性气氛下通过使用加热手段加热通过干燥包含硅源和碳源的混合物获得的前驱体的步骤A，在所述由非碳物质形成的区域中在惰性气氛下迅速冷却通过加热所述前驱体产生的气体的步骤B，其中所述硅源和所述碳源的至少之一为液态。
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